介質(zhì)損耗因素tgδ試驗(yàn)

其原理在前面已經(jīng)講過，tgδ是IR/IC的比值，它能反映電介質(zhì)內(nèi)單位體積中能量損耗的大小，只與電介質(zhì)的性質(zhì)有關(guān)，而與其體積大小尺寸均沒有關(guān)系。因此，tgδ的測(cè)試目的，也是能夠有效地發(fā)現(xiàn)設(shè)備絕緣的普遍老化、受潮、臟污等整體缺陷。

對(duì)小電容設(shè)備，如套管、互感器(電容式)也能夠發(fā)現(xiàn)內(nèi)部是否存在氣隙及固定絕緣開裂等集中性的局部絕緣缺陷。但要說明一點(diǎn)的是，針對(duì)大電容的設(shè)備如變壓器、電纜等進(jìn)行 tg6的測(cè)量時(shí)，只能發(fā)現(xiàn)他們的整體分布性缺陷，而其局部集中性的缺陷可能不會(huì)被發(fā)現(xiàn):而對(duì)于套管、互感器等小電容量的設(shè)備測(cè)tgδ能有效地發(fā)現(xiàn)其局部集中性和整體分布性的缺陷。這也是大型變壓器不僅要單獨(dú)測(cè)試引出線套管的 tgδ也要測(cè)套管連同繞組的介損tgδ，就是因?yàn)樘坠苋粲腥毕輹r(shí)在整體絕緣良好時(shí)不能體現(xiàn)出來。

設(shè)備的選取及常規(guī)試驗(yàn)方法：

因?yàn)榫群挽`敏度的原因，測(cè)變壓器和一般套管的介損時(shí)(包括電容式CT)，應(yīng)采用介損測(cè)試儀，而當(dāng)測(cè)試電容式PT電容量和tgδ時(shí)，可采用異頻介損測(cè)試儀，它介紹了CVT的中壓電容C的測(cè)試方法，比較方便 (自激法)。兩者的原理前者是通過比較內(nèi)部標(biāo)準(zhǔn)回路電流和被試品的電流的幅值及相互的相差，后者是電橋原理，離散傅立葉算法。

一般接線形式主要有二種：

正接法：適用于測(cè)量兩相對(duì)地絕緣的設(shè)備，測(cè)試精度較高，如套管和電容式CT的主絕緣tgδ，耦合電容的的 tgδ 等；

反接法：適用于測(cè)量一級(jí)接地的設(shè)備，儀器的外殼必須接地可靠，如變壓器連同套管和繞組的tgδ，套管和電容CT的末屏tgδ等。另外還有自激法，對(duì)角接線等，不同的試驗(yàn)設(shè)備均有不同的接線形式，取決于現(xiàn)場(chǎng)環(huán)境及標(biāo)準(zhǔn)設(shè)備。

需要說明的是現(xiàn)場(chǎng)試驗(yàn)時(shí)要?jiǎng)?chuàng)造條件，力求測(cè)試精度，如主變高低壓側(cè)套管的tgδ測(cè)試必須要用正接法，應(yīng)要求安裝單位制作測(cè)試平臺(tái)，以達(dá)到兩極絕緣的條件。對(duì)于CVT中壓電容的tgδ測(cè)試，應(yīng)充分理解儀器的操作程序，按照其說明，操作規(guī)程進(jìn)行試驗(yàn)。